650V GaN FETパワー半導体をPFCに採用

トランスフォームは2018年6月、同社の高電圧650V GaN（窒化ガリウム）FETパワー半導体「TP65H035WS」が、シーソニックエレクトロニクス（シーソニック）の1.6kWブリッジレストーテムポールPFC（力率改善）プラットフォーム「1600T」に採用されたと発表した。同製品の導入により、従来のシリコン系プラットフォームに比べて効率が2％、パワー密度が20％向上した。シーソニックは、TO-247パッケージで提供される、R_DS（on）35mΩのTP65H035WSを1600Tに採用。TP65H035WSの代表的ゲートしきい値は4Vで、最大ゲート電圧は±20V。ハードスイッチとソフトスイッチの両回路で効率を改善する他、一般的なゲートドライバと組み合わせることで、コスト管理を容易にし、設計を簡素化できる。1600TにTP65H035WSを導入したことで、産業用などの充電器やサーバ、PC、ゲーミング電源用に力率改善効率99％を達成するプラットフォームを提供可能になったという。
「テクノロジー_2018/07/20」