デンソーとトヨタが「ポストSiC」で新会社、酸化ガリウムかダイヤモンドか

🌍 デンソーとトヨタ自動車が2020年4月に設立する予定の次世代車載半導体の研究開発会社。基本構造や加工方法などの先端研究から、それらを実装した電動車両向けのパワーモジュール、自動運転車向けの周辺監視センサーなどの電子部品の先行開発に取り組むという。詳細は検討中と明かさないが、日経 xTECHの調べで一端が見えてきた。
🌍 2019年7月、2社が新しい合弁会社を設立すると発表した（発表資料）。新会社の主導権はデンソーが握る。資本金5000万円のうち、51%をデンソー、49％をトヨタが出資する。本社はデンソーの先端技術研究所内で、設立時の従業員数は約500人を想定する。
「テクノロジー」_2019/08/05

650V GaN FETパワー半導体をPFCに採用

トランスフォームは2018年6月、同社の高電圧650V GaN（窒化ガリウム）FETパワー半導体「TP65H035WS」が、シーソニックエレクトロニクス（シーソニック）の1.6kWブリッジレストーテムポールPFC（力率改善）プラットフォーム「1600T」に採用されたと発表した。同製品の導入により、従来のシリコン系プラットフォームに比べて効率が2％、パワー密度が20％向上した。シーソニックは、TO-247パッケージで提供される、R_DS（on）35mΩのTP65H035WSを1600Tに採用。TP65H035WSの代表的ゲートしきい値は4Vで、最大ゲート電圧は±20V。ハードスイッチとソフトスイッチの両回路で効率を改善する他、一般的なゲートドライバと組み合わせることで、コスト管理を容易にし、設計を簡素化できる。1600TにTP65H035WSを導入したことで、産業用などの充電器やサーバ、PC、ゲーミング電源用に力率改善効率99％を達成するプラットフォームを提供可能になったという。
「テクノロジー_2018/07/20」

酸化ガリウムを用いた高耐圧トランジスタを開発 - コーネル大など

コーネル大学などの研究チームは、酸化ガリウム半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて降伏電圧1000V超という性能を実現したと発表した。酸化ガリウム(Ga₂O₃)は、窒化ガリウム(GaN)やシリコンカーバイド(SiC)を上回る絶縁破壊電界強度をもつとされ、次世代の高耐圧パワーデバイスとして期待されている。
研究論文は「IEEE Electron Device Letters」に掲載された。
日本からは、酸化ガリウムのエピタキシャル成長基板の開発・製造を行うノベルクリスタルテクノロジー、法政大学の中村徹教授らのグループが参加している。
「テクノロジー_2018/06/20」