日本TI、最大10kWの高電力アプリをサポートする600V GaN FETを発表

🌳 日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は、最大10kWの高電力アプリケーション向けに、動作電圧600V、オン抵抗が50mΩと70mΩのGaN FETを集積した量産対応のパワー・ステージ製品ポートフォリオ「LMG341x」製品ファミリを発表した。

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🌳 新たに発表されたのは「LMG3410R050」、「LMG3410R070」、「LMG3411R070」の3製品。いずれもシリコンベースのMOSFETと比較して、損失を80%削減しているほか、1MHzのスイッチング周波数、最大100V/nsのスルーレート特性を提供する。また、加速テストや、実際のアプリケーション内でのハード・スイッチング・テストなどを含む、2000万時間のデバイス信頼性テストにて検証がなされているほか、過熱保護や100ns以下の過電流保護による貫通電流や短絡などに対する保護も提供している。
「テクノロジー_GaNFET_2018/11/05」

高速GaNトランジスタ、最適な測定方法とは (1/3)

🌳 GaNトランジスタの出現がもたらしたスイッチング速度の高速化に伴って、優れた測定技術、それとともに高速波形の重要特性を細部まで把握する技術が不可欠になっている。本稿では、測定機器をどのように活用すれば、ユーザーの要求条件および測定技術に適合し、高性能GaNトランジスタを正確に評価することができるかを考察する。また、非グラウンド基準（非接地）波形を測定するための高帯域幅差動プローブの評価も行う。
🌳 さまざまなタイプのGaNパワーデバイスを測定するに必要な技術と要求条件を例示するために、下記のEPC eGaN FET（EPC製エンハンスメントモードGaN FET）ベースの回路を検討する。
（i）高速、10MHzスイッチング周波数、65V（ドレイン‐ソース間電圧） eGaN FETのEPC8009（図1のQ1とQ2）をベースとするハーフブリッジボード
（ii）低速、500KHzスイッチング周波数のEPC9080ハーフブリッジ評価ボード（デモボード）。これはトップ側スイッチ（Q1）に100V eGaN FETのEPC2045およびボトム側スイッチ（Q2）に100V EPC2022を使用。
両方のボードはともに図1に示すように、高圧コンバーターとして動作するよう構成されている。
「テクノロジー_2018/10/29」

ノーベル賞受賞 天野名大教授の研究が「5G」に貢献

本連載「松岡功の『今週の明言』」では毎週、ICT業界のキーパーソンたちが記者会見やイベントなどで明言した言葉をいくつか取り上げ、その意味や背景などを解説している。今回は、名古屋大学の天野浩 教授と、NTTデータ経営研究所の加藤真由美 シニアマネージャーの発言を紹介する。
「日本独自の窒化ガリウム技術で5Gデバイスを実現したい」（名古屋大学 天野浩 教授）ブロードバンドタワーが先頃、都内で8月に予定する第5世代移動通信（5G）に対応可能なデータセンター「新大手町サイト」の開設に向け、インターネットサービスプロバイダー（ISP）を相互接続するインターネットエクスチェンジ（IX）事業者3社とパートナー契約を結んだことを発表した。これに伴い、同社は5Gに対応したデバイスを日本独自の窒化ガリウム（GaN）技術によって実現しようという総務省の研究開発プロジェクトの取り組みも紹介。同プロジェクトの推進役で、窒化ガリウムによる青色発光ダイオード（LED）の開発で2014年にノーベル物理学賞を受賞した天野氏も会見に登壇。冒頭の発言は、研究開発プロジェクトの推進に向けて強い意欲を示したものである。
「テクノロジー_2018/07/27」