酸化ガリウムを用いた高耐圧トランジスタを開発 - コーネル大など

コーネル大学などの研究チームは、酸化ガリウム半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて降伏電圧1000V超という性能を実現したと発表した。酸化ガリウム(Ga₂O₃)は、窒化ガリウム(GaN)やシリコンカーバイド(SiC)を上回る絶縁破壊電界強度をもつとされ、次世代の高耐圧パワーデバイスとして期待されている。
研究論文は「IEEE Electron Device Letters」に掲載された。
日本からは、酸化ガリウムのエピタキシャル成長基板の開発・製造を行うノベルクリスタルテクノロジー、法政大学の中村徹教授らのグループが参加している。
「テクノロジー_2018/06/20」