電気自動車のモーター駆動省エネ化に貢献する高耐久性構造SiCパワー半導体"TED-MOS"を開発

電気自動車のモーター駆動省エネ化に貢献する。
高耐久性構造SiCパワー半導体"TED-MOS"を開発。
従来比40％の電界強度低減と50％の省エネ化を実現。
株式会社日立製作所(執行役社長兼CEO:東原 敏昭／以下、日立)は、電気自動車(Electric Vehicle／以下、EV)の省エネ化に貢献する新構造のパワー半導体*1として、次世代材料の炭化ケイ素(SiC)を用いた日立独自のデバイス"TED-MOS*2"を新たに開発しました。今回開発したパワー半導体は、パワー半導体の一種であるSiCトランジスタの一般的な構造DMOS-FET*3*4を基本構造として、ひれ状の溝(トレンチ)を形成した新構造(Fin状トレンチ*5)のデバイスです。今回、耐久性の指標である電界強度を従来のDMOS-FET比で40％低減するとともに抵抗を25％低減し、エネルギー損失を50％低減できることを確認しました。今後、日立は、EVの心臓部であるモーター駆動用インバーターの省エネ化に貢献する技術として実用化をめざすと同時に、EV向けだけでなく、社会インフラシステムのさまざまな電力変換器に適用することで、地球温暖化防止や低炭素社会の実現に貢献します。
「テクノロジー_2018/09/01」