「民生向けで業界初」のQLC SSD、韓国サムスンが４Tバイト品

Samsungは、2012年にTLC（Triple-Level Cell）フラッシュメモリー（製造技術は20nmクラス）を使ったSSD（500Gバイト品）を市場投入している。新製品は、第4世代V-NAND技術で製造する64層の１TビットQLC NANDフラッシュメモリーを32個使って、４Tバイトの大容量を実現した。ただし、TLCからQLCに変更すると、単位面積当たりのチップ容量が増して、アクセススピードが低下してしまう。「最悪の場合、スピードが半減する」（同社）という。そこで新製品では、QLCのメモリーチップをベースにしながら、SSDコントローラーはTLC向けを利用し、さらに同社の「TurboWrite」技術を採用することで、TLC NANDフラッシュメモリーベースのSSDと同等のアクセス性能を実現したという。新製品のシーケンシャル読み出し速度は540Mバイト/秒。シーケンシャル書き込み速度は520Mバイト/秒である。保証期間は3年とする。
「テクノロジー_2018/08/08」