STMicro、SiC/SiパワーMOSFETに向けた最大4A出力の絶縁型ゲート駆動IC

伊仏合弁STMicroelectronics社は、SiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETやSiパワーMOSFET、IGBTの駆動に向けた絶縁型ゲートドライバーIC「STGAP2S」を発売した（ニュースリリース）。最大駆動能力は、シンク（吸い込み）時とソース（吐き出し）時どちらも4Aである。ハーフブリッジ構成のゲートドライバー回路のほか、絶縁部、制御ロジックなどを搭載した。絶縁耐圧は±1700Vを確保した。家電機器やFA機器、産業機器のモーター駆動回路や、600V/1200V対応のインバーター装置、バッテリー充電器、誘導加熱器、溶接機、無停電電源装置（UPS）、DC-DCコンバーターなどに向ける。
　2つのタイプを用意した。1つは、2つの独立した出力を備えるタイプ「STGAP2SM」である。それぞれの出力に専用のゲート抵抗を取り付け、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチを駆動できる。もう1つは、1つの出力とアクティブ・ミラー・クランプ端子を備えるタイプ「STGAP2SCM」である。アクティブ・ミラー・クランプ端子を使えば、SIC/SiパワーMOSFETの不要なターンオンを防止することができる。なぜならば、絶縁されたグラウンド電位に、ターンオフ電圧がクランプされるためだ。
「テクノロジー_2018/08/06」