300mmウェハ上に二次元材料用いたMOSFETの形成に成功 - imec

🌳 独立系半導体研究機関のimecは、MOCVD法で成長させた二次元材料を用いたMOSFETデバイス構造を300mmウェハの表面全体に形成することに成功したと発表した。
🌳 グラフェンをはじめとする二次元材料は短チャネル効果がほとんどないため、CMOSデバイスの超微細化に道を拓く材料として注目されている。
独立系半導体研究機関のimecは、MOCVD法で成長させた二次元材料を用いたMOSFETデバイス構造を300mmウェハの表面全体に形成することに成功したと発表した。
🌳 グラフェンをはじめとする二次元材料は短チャネル効果がほとんどないため、CMOSデバイスの超微細化に道を拓く材料として注目されている。
「テクノロジー_微細化_2018/12/10」