ムーアの法則の終焉、遠のく - imecら、EUVへの逐次浸透合成法の適用に成功

🌍 ベルギーimecは、米カリフォルニア州サンフランシスコで開催されたリソグラフィに特化した国際学会「SPIE Advanced Lithography conference 2019(SPIE 2019)」において、EUVリソグラフィ(EUVL)によるパターニングプロセスへの逐次浸透合成(sequential infiltration synthesis:SIS)の適用結果について報告を行った。
🌍 これにより、EUVリソグラフィ後にSISを適用することにより、フォトレジストパターンのラフネスやウェハ表面に確率的に存在するナノ欠陥を削減することができ、将来の超微細パターン形成にEUVが適用できるめどが立ったとしている。SISは、自己組織化リソグラフィ(Directed Self-Assembly:DSA)にてすでに利用されているが、imecは今回、EUV装置を用いた微細パターン形成プロセスにSISを適用し、フォトレジストに無機元素を浸透させることで、従来以上に硬化させることに成功、パターニング性能を向上させたという。
「テクノロジー_2019/03/11」