3nm止まりか1nmか、微細化はレジスト開発が鍵 (1/2)

🌍 米国カリフォルニア州サンノゼで2019年2月24～28日、半導体リソグラフィ技術に関する国際会議「SPIE Advanced Lithography 2019」が開催された。この中で行われたパネルセッションの中で、エンジニアたちは、「半導体ロードマップはこの先、10年間延長して1nmプロセスまで実現できる可能性もあれば、新しいレジスト材の不足によって、3nmプロセスで行き詰まる可能性もある」と、希望や不安について語った。
🌍 このセッションは、「ムーアの法則は、間もなく限界を迎えるのではないか」とする長年にわたる予測について、楽観視するために開催された。今回、次世代チップの実現への道のりを進んで行く上で、さまざまな問題が絶え間なく出現し続けたために、結果的に不安をあおるような不透明感が生じていることが明らかになった。
🌍 Samsung Electronicsは2019年2月28日に、EUV（極端紫外線）リソグラフィを適用した7nmチップの生産を開始した。TSMCは2019年6月までに、7+nmプロセス適用チップを発表する予定だとしている。また、ASMLは2019年に、SamsungとTSMC向けに自社開発のEUVシステム「3400C」をアップグレードすることによって、170WPH（Wafer Per Hour：1時間当たりのウエハー処理枚数）と、90+％のアベイラビリティ（可用性）の実現を目指しているという。
「テクノロジー_2019/03/10」