高速GaNトランジスタ、最適な測定方法とは (1/3)

🌳 GaNトランジスタの出現がもたらしたスイッチング速度の高速化に伴って、優れた測定技術、それとともに高速波形の重要特性を細部まで把握する技術が不可欠になっている。本稿では、測定機器をどのように活用すれば、ユーザーの要求条件および測定技術に適合し、高性能GaNトランジスタを正確に評価することができるかを考察する。また、非グラウンド基準（非接地）波形を測定するための高帯域幅差動プローブの評価も行う。
🌳 さまざまなタイプのGaNパワーデバイスを測定するに必要な技術と要求条件を例示するために、下記のEPC eGaN FET（EPC製エンハンスメントモードGaN FET）ベースの回路を検討する。
（i）高速、10MHzスイッチング周波数、65V（ドレイン‐ソース間電圧） eGaN FETのEPC8009（図1のQ1とQ2）をベースとするハーフブリッジボード
（ii）低速、500KHzスイッチング周波数のEPC9080ハーフブリッジ評価ボード（デモボード）。これはトップ側スイッチ（Q1）に100V eGaN FETのEPC2045およびボトム側スイッチ（Q2）に100V EPC2022を使用。
両方のボードはともに図1に示すように、高圧コンバーターとして動作するよう構成されている。
「テクノロジー_2018/10/29」